申请号：

200910087714

申请日：

2009/06/19

公开日：

2009/11/25

公告日：

公开号：

101588019

公告号：

授权日：

授权公告日：

专利类别：

发明

国别省市代码：

11[中国|北京]

代理机构代码：

11203[ ]

代理人：

刘萍

发明名称：

外腔式多有源区光子晶体垂直腔面发射半导体激光器

国际分类号：

H01S 5/183;H01S 5/065;H01S 5/06;H01S 5/20

范畴分类号：

38H

发明人：

沈光地;徐晨;解意洋;陈弘达;阚强;王春霞;刘英明;王宝强

申请人：

北京工业大学

申请人地址：

北京市朝阳区平乐园100号

邮编：

100124

文摘：

外腔式多有源区光子晶体垂直腔面发射半导体激光器属于半导体光电子领域。普通的垂直腔面发射半导体激光器存在单程光增益小、多横模激射、单模输出功率低、阈值电流大、串联电阻大等问题。本发明在器件的有有源区上采用了多有源区结构。同时将缺陷型光子晶体结构引入到垂直腔面发射半导体激光器的上ＤＢＲ中，通过合理的优化光子晶体周期，空气孔径，刻蚀深度，器件直径，氧化孔径等，得到了单模工作氧化孔径几十微米、单模功率几个毫瓦、串联电阻几十欧姆、边模抑制３５分贝以上的外腔式多有源区光子晶体垂直腔面发射半导体面发射激光器。