 |
 |
政务区 |
|
|
 |
服务区 |
|
 |
 |
互动区 |
|
|
 |
| 来源 : 北京市科技情报研究所 |
|
|
申请号: |
200810118964 |
申请日: |
2008/08/27 |
|
公开日: |
2010/03/03 |
公告日: |
|
|
公开号: |
101662123 |
公告号: |
|
|
授权日: |
|
授权公告日: |
|
|
专利类别: |
发明 |
国别省市代码: |
11[中国|北京] |
|
代理机构代码: |
11021[] |
代理人: |
周国城 |
|
发明名称: |
一种抑制垂直腔面发射激光器发散角的方法 |
|
国际分类号: |
H01S 5/183 |
|
范畴分类号: |
|
|
发明人: |
郑婉华;刘安金;邢名欣;渠宏伟;陈微;周文君;陈良惠 |
|
申请人: |
中国科学院半导体研究所 |
|
申请人地址: |
北京市海淀区清华东路甲35号 |
|
邮编: |
100083 |
|
文摘: |
|
本发明公开了一种抑制垂直腔面发射激光器发散角的方法,该方法是通过在氧化限制型的垂直腔面发射激光器的上DBRs表面刻蚀空气孔图形来实现的。利用本发明,能够有效地抑制垂直腔面发射激光器的发散角,提高垂直腔面发射激光器的性能。 |
| |
| |
|
|
|
 |
 |
 |
搜索 |
|
 |
 |
邮件订阅 |
|
|