申请号：

200810119581

申请日：

2008/09/03

公开日：

2010/03/10

公告日：

公开号：

101667715

公告号：

授权日：

授权公告日：

专利类别：

发明

国别省市代码：

11[中国|北京]

代理机构代码：

11021[]

代理人：

王波波

发明名称：

一种单模高功率垂直腔面发射激光器及其制作方法

国际分类号：

H01S 5/183;H01S 5/187;H01S 5/343

范畴分类号：

发明人：

渠红伟;郑婉华;刘安金;王科;张冶金;彭红玲;陈良惠

申请人：

中国科学院半导体研究所

申请人地址：

北京市海淀区清华东路甲３５号

邮编：

100083

文摘：

本发明是一种单模高功率垂直腔面发射激光器，属半导体光电子领域。其特征在于，包括Ｐ型电极（１），Ｐ型Ｓｉ衬底（２），金属键合层（３），Ｐ型分布布拉格反射镜（ＤＢＲ）（４），氧化限制层（５），有源区（６），Ｎ型ＤＢＲ（７），ＳｉＯ↓［２］掩膜（８），聚酰亚胺或苯并环丁烯（ＢＣＢ）（９），Ｎ电极（１０），光子晶体（１１），出光窗口（１２）。在该结构的垂直腔面发射激光器中引入光子晶体，可增大氧化孔径，提高单模输出功率，同时采用键合技术将传统ＶＣＳＥＬ外延片转移到Ｓｉ衬底上和采用底部出光的设计，便于拉近ＶＣＳＥＬ外延片有源区与Ｓｉ衬底的距离，改善器件热学特性，进一步提高单模输出功率。