申请号：

200810119582

申请日：

2008/09/03

公开日：

2010/03/10

公告日：

公开号：

101667716

公告号：

授权日：

授权公告日：

专利类别：

发明

国别省市代码：

11[中国|北京]

代理机构代码：

11021[]

代理人：

王波波

发明名称：

一种双面键合长波长垂直腔面发射激光器及其制作方法

国际分类号：

H01S 5/183;H01S 5/187;H01S 5/343

范畴分类号：

发明人：

渠红伟;郑婉华;刘安金;王科;张冶金;彭红玲;陈良惠

申请人：

中国科学院半导体研究所

申请人地址：

北京市海淀区清华东路甲３５号

邮编：

100083

文摘：

本发明是一种双面键合长波长垂直腔面发射激光器（ＶＣＳＥＬ）及其制作方法。所述激光器包括Ｎ电极（１），Ｎ型ＧａＡｓ衬底（２），Ｎ型ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ材料系的下分布布拉格反射镜（ＤＢＲ）（３），ＩｎＰ基应变量子阱有源区（４），ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ材料系的上ＤＢＲ（５），其中上ＤＢＲ（５），由Ｐ型ＤＢＲ（６）和本征ＤＢＲ（７）组成，ＳｉＯ↓［２］掩膜（８），Ｐ电极（９），出光窗口（１０）。所述结构和所述方法改进了传统长波长ＶＣＳＥＬ的ＤＢＲ材料折射率差较小，热导、电导差的缺点，不仅可实现很好的电流限制，而且降低材料的吸收损耗、生长的难度和免去二次外延工艺步骤。