申请号：

200810119796

申请日：

2008/09/10

公开日：

2010/03/17

公告日：

公开号：

101673920

公告号：

授权日：

授权公告日：

专利类别：

发明

国别省市代码：

11[中国|北京]

代理机构代码：

11021[]

代理人：

汤保平

发明名称：

边发射二维光子晶体分布反馈量子级联激光器及制备方法

国际分类号：

H01S 5/10

范畴分类号：

38H

发明人：

陆全勇;张伟;王利军;高瑜;尹雯;张全德;刘万峰;刘峰奇;王占国

申请人：

中国科学院半导体研究所

申请人地址：

北京市海淀区清华东路甲35号

邮编：

100083

文摘：

一种边发射二维光子晶体分布反馈量子级联激光器，包括：一衬底；一下波导层，该下波导层生长在衬底的中间部位，在下波导层上依次生长有有源层、上波导层和盖层；一高掺杂层，该高掺杂层生长在盖层的上面，该高掺杂层为二维正方圆孔点阵结构，该点阵结构具有沿ΓＸ方向的（０，１）级耦合机制；一二氧化硅层，该二氧化硅层生长在衬底两侧的上面和下波导层、有源层、上波导层和盖层的两侧，及高掺杂层两侧和高掺杂层上面的边缘部分；一正面金属电极层，该正面金属电极层生长在二氧化硅层的上面及高掺杂层的二维正方圆孔点阵结构的上面；一背面金属电极层生长在衬底的下面，形成边模抑制比为２０ｄＢ的边发射二维光子晶体分布反馈量子级联激光器。