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| 来源 : 北京市科技情报研究所 |
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申请号: |
200810117495 |
申请日: |
2008/07/31 |
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公开日: |
2010/02/03 |
公告日: |
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公开号: |
101640368 |
公告号: |
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授权日: |
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授权公告日: |
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专利类别: |
发明 |
国别省市代码: |
11[中国|北京] |
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代理机构代码: |
11021[ ] |
代理人: |
汤保平 |
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发明名称: |
叠层半导体激光器光纤排/束侧面泵浦方法 |
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国际分类号: |
H01S 3/0941;H01S 5/024;G02B 6/00;H01S 3/067 |
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范畴分类号: |
38H |
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发明人: |
王大拯;冯小明;王勇刚;刘素平;马骁 |
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申请人: |
中国科学院半导体研究所 |
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申请人地址: |
北京市海淀区清华东路甲35号 |
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邮编: |
100083 |
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文摘: |
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本发明一种叠层半导体激光器光纤排/束侧面泵浦方法,其特征在于,包括如下:步骤1:制作一矩形铜质的半导体激光器叠层热沉,在叠层热沉的一面上采用精密微加工方法,沿叠层热沉的横向加工制得多组V型槽;步骤2:沿叠层热沉的纵向,在具有多组V型槽的一面的下方的两侧制作两片镀金铜片;步骤3:在两片镀金铜片之间、叠层热沉具有多组V型槽一面的下方粘接多组双包层光纤。 | | |
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